سامسونگ الکترونیکس امروز فاش کرد که تولید اولین حافظه DRAM گرافیکی 16 گیگابیتی را با سرعت پردازش 24 گیگابیت بر ثانیه آغاز کرده است (DRAM یا “حافظه دسترسی تصادفی پویا” نوعی حافظه دسترسی تصادفی است که هر بیت را در یک خازن جداگانه ذخیره می کند. همچنین از هیچ تراشه ای استفاده نمی کند (حافظه گرافیکی در رایانه و لپ تاپ از جمله موارد استفاده DRAM است.) این نوع جدید از حافظه بر اساس فناوری 10 نانومتری EUV ساخته شده است و انتظار می رود عملکرد پردازنده های گرافیکی در لپ تاپ ها و کنسول ها را بهبود بخشد.
این تراشه DRAM جدید استانداردهای جهانی را برآورده می کند و بنابراین می تواند به راحتی و به طور گسترده توسط تولید کنندگان تراشه های گرافیکی مورد استفاده قرار گیرد.
مهندسان مقر سامسونگ در Suwon یک مدار کاملاً نوآورانه طراحی کرده اند و یک ماده عایق بسیار پیشرفته به نام High-K Metal Gate یا HKMG ساخته اند که می تواند نشت داده ها را به حداقل برساند. این بدان معناست که DRAM جدید GDDR6 سامسونگ 30 درصد سرعت بیشتری نسبت به نسل قبلی ارائه می دهد.
سری جدید GDRR6 سامسونگ همچنین قابلیت کاهش مصرف انرژی را برای افزایش عمر باتری لپ تاپ ارائه می دهد. این تراشه DRAM از فناوری سوئیچینگ ولتاژ پویا استفاده می کند که مصرف برق را بر اساس عملکرد تنظیم می کند. این شرکت قصد دارد DRAM جدید خود را در نسخه های سرعت پردازش 20 گیگابیت بر ثانیه و 16 گیگابیت بر ثانیه با ولتاژ کاری 1.1 ولت به جای استاندارد فعلی 1.35 ولت تولید کند.
دانیل لی یکی از مدیران ارشد سامسونگ دلیل تولید این نوع حافظه با سرعت پردازش بالا را جهش در حوزه هوش مصنوعی و متاورس و نیاز شدید به قدرت پردازش داده بالاتر ذکر کرد. این شرکت در حال حاضر در حال نمونه برداری از پلتفرم جدید خود است، به این معنی که آزمایش عملی این محصول با موفقیت به پایان رسیده است و ممکن است به زودی شاهد ورود آن به بازار در قالب پردازنده های گرافیکی جدید باشیم.